Простий пошук
Розширений пошук
Алфавітні покажчики

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Віртуальна довідка
Тематичний інтернет-навігатор
Наукова електронна бібліотека
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Сортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком видання
Формат представлення знайдених документів:
повнийстислий
Пошуковий запит: (<.>A=Колежук К$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 9
Представлено документи з 1 до 9
      
Категорія:    
1.

Колежук К. В. 
Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А2В6 / К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, Ю. Н. Бобренко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 2. - С. 49-50. - Библиогр.: 4 назв. - рус.

Показана применимость некоторых гетероструктурных концепций к поликристаллическим объектам на основе решеточно-несогласованных соединений А2В6 и перспективность таких многослойных гетероструктур для разработки фотоэлектрических приборов. Установлено, что наличие потенциальных барьеров на границе полупроводников с различной шириной запрещенной зоны позволяет минимизировать рекомбинационные потери и конструировать новые типы эффективных сенсоров излучения на основе широкозонных полупроводников, выращенных на узкозонной подложке.

We show that (i) some heterostructure concepts may be applied to polycrystalline objects made on the basis of lattice-mismatched II-VI compounds, and (ii) such multilayer heterostructures are promising for development of photoelectric devices. Presence of potential barriers at interfaces between semiconductors with different gap values enables one to minimize recombination losses and develop efficient new-type radiation sensors made on the basis of wide-gap semiconductors grown on a narrow-gap substrate.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
 Напівпровідникові фотоелектричні прилади 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
2.

Колежук К. В. 
Новое поколение фотоприемников ультрафиолетового излучения / К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, Ф. И. Коржинский, В. М. Чмиль // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2003. - № 3. - С. 51-52. - Библиогр.: 4 назв. - рус.

Разработана и изготовлена опытная партия селективных и широкополосных сенсоров ультрафиолетового излучения нового поколения на основе слоистых гетероструктур в системе широкозонных полупроводников А2В6 и их твердых растворов. Отмечено, что их основной отличительной особенностью является нечувствительность к видимому свету при отсутствии специальных оптических фильтров для корректирования спектральной характеристики. Предназначены для мониторинга УФ-излучения.

We developed and fabricated a pilot run of selective and broad-band new-generation sensors of ultraviolet radiation on the basis of layered heterostructures made of wide-gap AIIBVI semiconductors and their solid solutions. These sensors have no commercial analogs in the world. Their distinctive feature is insensitivity to the visible light without special optical filters for correction of spectral curve. The sensors are intended for monitoring of ultraviolet radiation.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2

Рубрики:
 Напівпровідникові фотоелектричні прилади 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
3.

Бобренко Ю. Н. 
Измеритель мощности излучения в диапазонах УФ-А, УФ-В, УФ-С и их комбинаций / Ю. Н. Бобренко, К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, Н. В. Ярошенко, А. С. Майстренко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2006. - № 6. - С. 34-35. - Библиогр.: 4 назв. - рус.


Ключ. слова: ультрафиолетовое излучение, тонкопленочный гетеропереход, селективный сенсор, соединения A2B6
Індекс рубрикатора НБУВ: З849-047

Рубрики:
 Радіоприймальні пристрої (радіоприймачі) 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
4.

Колежук К. В. 
Экспрессное измерение мощности ультрафиолетового излучения в спектральных диапазонах УФ-А и УФ-В+С / К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Н. В. Ярошенко, Г. И. Шереметова, А. С. Майстренко // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2005. - № 5. - С. 13-14. - Библиогр.: 3 назв. - рус.

Разработан метод измерения мощности ультрафиолетовой радиации Солнца в УФ-А- и УФ-В+С-диапазонах и портативный прибор, его реализующий. Созданный прибор может быть использован как для специального мониторинга УФ-излучения Солнца (например, для фиксирования появления "озоновой дыры"), так и для индивидуального контроля уровня опасной для здоровья эритемной радиации.

We developed (i) a technique for measurement of power of solar ultraviolet radiation in the UV-A and UV-B+C spectral ranges, and (ii) a handy device for such measurements. This device can be used for special-purpose monitoring of solar UV radiation (e. g., for detection of ozone depletion), as well as for individual control of level of harmful erythemal radiation.


Ключ. слова: измерение, мощность, ультрафиолетовая радиация, портативный прибор.
Індекс рубрикатора НБУВ: Д234.11 + В652.421.2с0

Рубрики:
 Сонячна (короткохвильова) радіація 

Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ 
      
Категорія:    
5.

Колежук К. В. 
Напівпровідниковий сенсор УФ-А-діапазону / К. В. Колежук, В. М. Комащенко, Г. Г. Шереметова, О. В. Комащенко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2002. - Вып. 37. - С. 69-71. - Бібліогр.: 8 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:
 Напівпровідникові матеріали та вироби 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
6.

Шереметова Г. И. 
Структурные свойства гетероструктур на основе поликристаллических слоев соединений $E bold roman {A sup 2 B sup 6} / Г. И. Шереметова, О. С. Литвин, К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, А. А. Корчевой, П. М. Литвин // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 159-166. - Библиогр.: 11 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22 + В372

Рубрики:
 Структура напівпровідників 
 Структура твердих тіл 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
7.

Колежук К. В. 
Фотопреобразователи с дополнительным потенциальным барьером в валентной зоне на основе тонкопленочных поликристаллических In - nD-гетероструктур соединений AV2DBV6D / К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, Г. И. Шереметова, А. В. Комащенко, Ю. Н. Бобренко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2001. - Вып. 36. - С. 212-217. - Библиогр.: 9 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:
 Фотоелектричні прилади.Фотоелементи 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
8.

Колежук К. В. 
Шаруваті гетероструктури типу $E bold {p- roman {Cu sub 1,8 S} "/" n- roman {A sup 2 B} sup 6 n- roman {A sup 2 B} sup 6} та сенсори ультрафіолетового випромінювання на їх основі (огляд) / К. В. Колежук, В. М. Комащенко, Г. Г. Шереметова // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2003. - Вып. 38. - С. 44-53. - Бібліогр.: 23 назв. - укp.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852-06

Рубрики:
 Напівпровідникові прилади 

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 

      
Категорія:    
9.

Венгер Е. Ф. 
УФ-сенсор, "слепой" к видимому свету / Е. Ф. Венгер, К. В. Колежук, В. Н. Комащенко, А. В. Комащенко, О. А. Мищенко, Г. И. Шереметова // Доп. НАН України. - 2002. - № 2. - С. 82-86. - Библиогр.: 11 назв. - рус.


Індекс рубрикатора НБУВ: З844.1

Рубрики:
 Мікрорадіоелектронна апаратура. Мікроелектроніка 

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

 

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського